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    硫酸镍蒸发过程中结垢成因与预防:杂质离子(钙、镁、铁)控制策略

    在硫酸镍蒸发过程中,结垢问题主要由溶液中的杂质离子(如钙、镁、铁)在蒸发浓缩时因过饱和析出并附着于设备表面形成,其控制策略需从源头杂质去除、工艺参数优化、设备设计改进、防垢剂应用及定期清洗维护五个维度综合实施,具体分析如下:

    一、结垢成因分析

    1. 杂质离子过饱和析出
      硫酸镍溶液中若含有钙(Ca²⁺)、镁(Mg²⁺)、铁(Fe³⁺)等杂质离子,在蒸发浓缩过程中,随着水分蒸发,这些离子的浓度逐渐升高,当超过其溶解度时,会以硫酸钙(CaSO₄)、碳酸钙(CaCO₃)、氢氧化铁(Fe(OH)₃)等形式结晶析出,附着在加热管内壁形成垢层。

    2. pH值波动影响

      • 碱性条件下,钙、镁离子易与碳酸根(CO₃²⁻)结合生成碳酸钙/镁垢;
      • 酸性条件下,硫酸根(SO₄²⁻)与钙离子结合生成硫酸钙垢(如二水石膏CaSO₄·2H₂O),且高温下可能转化为更难去除的硬石膏(CaSO₄·0.5H₂O)。
    3. 温度与流速因素

      • 加热管表面温度过高会导致局部过饱和度增大,加速结晶成核;
      • 溶液流速过低时,杂质在传热面滞留时间延长,易沉积形成垢层。

    二、杂质离子控制策略

    1. 源头杂质去除:预处理技术

    • 化学沉淀法
      通过投加碳酸钠(Na₂CO₃)、氢氧化钠(NaOH)等试剂,使钙、镁离子形成碳酸钙、氢氧化镁沉淀,再通过过滤或沉降分离。例如:
      • 钙去除:加入碳酸钠生成CaCO₃沉淀(反应式:Ca²⁺ + CO₃²⁻ → CaCO₃↓);
      • 镁去除:加入氢氧化钠生成Mg(OH)₂沉淀(反应式:Mg²⁺ + 2OH⁻ → Mg(OH)₂↓)。
        缺点:氟盐沉淀法(如氟化钠)虽除钙镁效果好,但会引入新杂质(如Na⁺),且产生含氟废水,处理成本高。
    • 高选择性分离技术
      • 离子交换树脂:采用螯合树脂(如CH-93树脂)选择性吸附钙、镁离子,避免引入新杂质。例如,某新能源项目通过CH-93树脂将碳酸氢锂溶液中的钙镁含量从100mg/L降至1mg/L以下。
      • 膜分离技术:利用纳滤(NF)或反渗透(RO)膜截留二价离子(Ca²⁺、Mg²⁺),允许一价离子(如Na⁺、K⁺)通过,实现*分离。

    2. 工艺参数优化

    • pH调控
      • 初始pH控制在2-4,蒸发过程中补加硫酸(H₂SO₄)防止Ni(OH)₂生成,终点pH控制在1.5-2.0,减少铁离子水解生成Fe(OH)₃沉淀。
      • 酸性条件可抑制碳酸盐垢生成,但需避免pH过低导致设备腐蚀。
    • 温度控制
      • 采用低温蒸发技术(如MVR蒸发器),控制蒸发温度<80℃,减少硫酸钙垢的生成风险。
      • 避免局部过热,通过强制循环流速>2.5m/s,维持湍流状态,冲刷加热管内壁。
    • 浓缩倍数控制
      • 避免过度浓缩导致杂质离子过饱和,通过在线浓度监测仪实时调整蒸发终点。

    3. 设备设计改进

    • 强制循环蒸发器
      • 优选FC强制循环蒸发器,通过高速循环(流速>2m/s)冲刷加热管内壁,延缓晶体附着。
      • 底部设计60°锥形结构+反冲洗口,应对盐类瞬时结晶风险,避免盐类沉积堵塞。
    • 防垢涂层与材质选择
      • 加热管内壁采用抛光处理或特殊涂层(如PTFE),降低污垢粘附率。
      • 针对腐蚀性介质(如含氯离子),选用钛材、哈氏合金等耐腐蚀材料。

    4. 防垢剂应用

    • 阻垢剂添加
      • 投加聚丙烯酸类阻垢剂(添加量50-100ppm),通过螯合作用干扰盐分析出,延缓垢层形成。
      • 针对硫酸钙垢,可选用专用阻垢剂(如森纳斯蒸发器阻垢剂),其阻垢性能是普通阻垢剂的5倍以上。

    5. 定期清洗维护

    • 在线清洗(CIP)
      • 定期注入酸溶液(如硝酸)在线清洗,溶解硫酸盐垢层;或采用碱洗(如氢氧化钠)溶解硅垢。
      • 脉冲式清洗:通过周期性注入高压流体冲刷加热管,破坏垢层结构。
    • 停机检修
      • 建立维护日历,定期检查密封件、泵阀状态,更换易损件;停机时对蒸发室、管路进行深度检测,避免隐蔽性积垢。

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